Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
Тип транзистора: P канальний MOSFET
Тип корпусу: DFN2x2B
Транзистори нові, непаяні, в стрічці.
Паяні елементи поверненню не підлягають.
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.8 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
- Ціна: 25 ₴


