Описание
Характеристики
Информация для заказа
Тип транзистора: N канальный MOSFET
Тип корпуса: DFN2x2B
Транзисторы новые,непаянные, в ленте.
Паянные елементы возврату не подлежат.
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.5 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.8 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
- Цена: 25 ₴


